Categories
Nyheder
Kvalitetskontrol
Kritikken
Hjem
/
Diskrete Halvledere
/
Dioder - Broensrettere
/ Comchip Technology B1S-G
B1S-G
Obsolete - BRIDGE RECT 1P 100V 800MA MBS
Fabrikant:
Comchip Technology
MFR-del #
B1S-G
Kategori:
Dioder - Broensrettere
Datablad:
B1S-G
Beskrivelse:
BRIDGE RECT 1P 100V 800MA MBS
B1S-G Specifikation
Produkt Attribut
Attribut Værdi
Kategori
Dioder - Broensrettere
Fabrikant
Comchip Technology
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Produkt status
Obsolete
Diode Type
Single Phase
Teknologi
Standard
Spænding - Peak Reverse (maks.)
100 V
Aktuel - Gennemsnitlig ensrettet (Io)
800 mA
Spænding - fremad (Vf) (maks.) @ Hvis
1.1 V @ 800 mA
Strøm - Omvendt lækage @ Vr
5 μA @ 100 V
Driftstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / Case
TO-269AA, 4-BESOP
Leverandørs enhedspakke
MBS
B1S-G Lager: 27250
Historie Pris
Obsolete
5.0 / 5.0
B1S-G Relaterede dele
B1S-G
Comchip Technology
Anmodning om tilbud
Varenummer *
Fabrikant
Kontaktperson *
E-mailadresse *
Forespørgsel mængde *
Leveringsland *
Obsolete - BRIDGE RECT 1P 100V 800MA MBS
