EPC2012C
Active - GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Beskrivelse:
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC2012C Specifikation
Produkt Attribut
Attribut Værdi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (Maks.) @ Vgs
1.3 nC @ 5 V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Driftstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Leverandør Enhedspakke
Die
