Kvalitetskontrol

‌Hjem‌ / Diskrete Halvledere / Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Enkelt / Infineon Technologies IPP020N06NAKSA1

IPP020N06NAKSA1

Active - MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

IPP020N06NAKSA1

Infineon Technologies

Fabrikant:

Infineon Technologies

MFR-del #

IPP020N06NAKSA1

Kategori:

Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Enkelt

Datablad:

IPP020N06NAKSA1

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

IPP020N06NAKSA1 Specifikation

Produkt Attribut

Attribut Værdi

Kategori

Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Enkelt

Fabrikant

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS

Emballage

Tube

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

60 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

29A (Ta), 120A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.8V @ 143μA

Gate-opladning (Qg) (Maks.) @ Vgs

106 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

?0V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

7800 pF @ 30 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

3W (Ta), 214W (Tc)

Driftstemperatur

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Leverandør Enhedspakke

PG-TO220-3

Pakke / Case

TO-220-3

IPP020N06NAKSA1 Lager: 27000

Historie Pris

$5.01000

Certificates

5.0 / 5.0

IPP020N06NAKSA1 Relaterede dele

Wolfchip Danmark

Wolfchip Malaysia

Wolfchip Việt Nam

Wolfchip Italia

Wolfchip Deutschland

Wolfchip France

Wolfchip México

Wolfchip Electronics