Kvalitetskontrol

‌Hjem‌ / Diskrete Halvledere / Dioder - Ensrettere - Enkelt / PN Junction Semiconductor P3D06008G2

P3D06008G2

Active - DIODE SIL CARB 650V 26A TO263-2

P3D06008G2

PN Junction Semiconductor

Fabrikant:

PN Junction Semiconductor

MFR-del #

Kategori:

Dioder - Ensrettere - Enkelt

Datablad:

Beskrivelse:

DIODE SIL CARB 650V 26A TO263-2

P3D06008G2 Specifikation

Produkt Attribut

Attribut Værdi

Kategori

Dioder - Ensrettere - Enkelt

Fabrikant

PN Junction Semiconductor

Serie

P3D

Emballage

Tape & Reel (TR)

Produkt status

Active

Diode Type

Silicon Carbide Schottky

Spænding - DC omvendt (Vr) (maks.)

650 V

Aktuel - Gennemsnitlig ensrettet (Io)

26A

Spænding - fremad (Vf) (maks.) @ Hvis

-

Hastighed

No Recovery Time >500mA (Io)

Omvendt gendannelsestid (trr)

0 ns

Strøm - Omvendt lækage @ Vr

36 μA @ 650 V

Kapacitans @ Vr, F

-

Monteringstype

-

Pakke / Case

TO-263-2

Leverandør Enhedspakke

TO-263-2

Driftstemperatur - Kryds

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

P3D06008G2 Lager: 1875

Historie Pris

$3.33000

Certificates

5.0 / 5.0

P3D06008G2 Relaterede dele

Wolfchip Danmark

Wolfchip Malaysia

Wolfchip Việt Nam

Wolfchip Italia

Wolfchip Deutschland

Wolfchip France

Wolfchip México

Wolfchip Electronics