Categories
Nyheder
Kvalitetskontrol
Kritikken
‌Hjem‌  /  Integrerede Kredsløb (IC'er)  /  Hukommelse  /  Samsung Semiconductor K4F6E3S4HM-MGCJ

K4F6E3S4HM-MGCJ

Active Icon Active - LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
K4F6E3S4HM-MGCJ
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
MFR-del #
Kategori:
Datablad:
Beskrivelse:
LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
 
3D Model Icon

K4F6E3S4HM-MGCJ Specifikation

Produkt Attribut
Attribut Værdi
Kategori
Serie
-
Emballage
Tray
Produkt status
Active
Hukommelse Type
-
Hukommelsesformat
-
Teknologi
-
Hukommelse Størrelse
-
Hukommelsesorganisation
-
Hukommelsesinterface
-
Urfrevens
-
Skrivecyklustid - Ord, Side
-
Adgangstid
-
Spænding - Forsyning
-
Driftstemperatur
-
Monteringstype
-
Pakke / Kasse
-
Leverandørens enhedspakke
-

K4F6E3S4HM-MGCJ Beskrivelse

Samsung Semiconductor K4F6E3S4HM-MGCJ er en avanceret DRAM (Dynamic Random Access Memory) chip, der er designet til at levere høj ydeevne og effektivitet i forskellige applikationer, herunder mobile enheder, bærbare computere og andre elektroniske apparater. Denne chip er en del af Samsungs produktlinje af hukommelsesløsninger og er kendt for sin pålidelighed og hastighed.

Specifikationer:

1. Type:
- DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory)

2. Kapacitet:
- 2 GB (Gigabyte) hukommelse, hvilket giver tilstrækkelig plads til at håndtere moderne applikationer og multitasking.

3. Datahastighed:
- Understøtter dataoverførselshastigheder op til 1600 MT/s (megatransfers per second), hvilket sikrer hurtig adgang til data.

4. Forsyningsspænding:
- Arbejder ved en forsyningsspænding på 1.5V, hvilket bidrager til lavere strømforbrug og længere batterilevetid i mobile enheder.

5. Pakke:
- Tilgængelig i en FBGA (Fine Ball Grid Array) pakke, der muliggør kompakt design og effektiv varmeafledning.

6. Temperaturinterval:
- Driftstemperatur fra -40°C til +85°C, hvilket sikrer pålidelig drift under forskellige miljøforhold.

7. Organisering:
- 8-bit organisation, hvilket gør det muligt at tilgå data effektivt og hurtigt.

Anvendelser:

K4F6E3S4HM-MGCJ er velegnet til en række forskellige applikationer, herunder:
- Mobile enheder som smartphones og tablets.
- Bærbare computere og ultrabooks.
- Embedded systemer og IoT-enheder.
- Spil- og underholdningssystemer.

Fordele:

- Høj ydeevne med hurtige dataoverførselshastigheder, der forbedrer systemets samlede hastighed.
- Lavt strømforbrug, hvilket er ideelt til batteridrevne enheder og hjælper med at forlænge batterilevetiden.
- Pålidelighed og robusthed, der sikrer stabil drift under forskellige forhold.

Konklusion:

Samsung Semiconductor K4F6E3S4HM-MGCJ er en pålidelig og effektiv DDR3 DRAM-chip, der tilbyder en fremragende kombination af kapacitet, hastighed og energieffektivitet. Dens specifikationer gør den til et ideelt valg for udviklere, der ønsker at integrere højtydende hukommelse i deres produkter, uanset om det er til mobile enheder, bærbare computere eller andre elektroniske applikationer.

K4F6E3S4HM-MGCJ Lager: 25000

Historie Pris
$11.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

K4F6E3S4HM-MGCJ Relaterede dele

K4F6E3S4HB-KHCL
K4F6E3S4HB-KFCL
K4F8E304HB-MGCJ
K4F8E304HB-MGCJ
K4FBE3D4HM-TFCL
K4F6E3S4HM-MGCJ
K4F6E3S4HM-MGCJ
K4F8E3S4HD-GHCL
K4F8E3S4HD-GUCL
K4F6E3S4HM-THCL
K4F4E3S4HF-GHCJ
K4F2E3S4HA-TFCL
Anmodning om tilbud
Varenummer *
Fabrikant
Kontaktperson *
E-mailadresse *
Forespørgsel mængde *
Leveringsland *