Kvalitetskontrol

‌Hjem‌ / Diskrete Halvledere / Dioder - Ensrettere - Enkelt / Taiwan Semiconductor HS3JB

HS3JB

Active - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

HS3JB

Taiwan Semiconductor

Fabrikant:

Taiwan Semiconductor

MFR-del #

Kategori:

Dioder - Ensrettere - Enkelt

Datablad:

Beskrivelse:

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

HS3JB Specifikation

Produkt Attribut

Attribut Værdi

Kategori

Dioder - Ensrettere - Enkelt

Fabrikant

Taiwan Semiconductor

Serie

-

Emballage

Tape & Reel (TR)

Produkt status

Active

Diode Type

Standard

Spænding - DC omvendt (Vr) (maks.)

600 V

Aktuel - Gennemsnitlig ensrettet (Io)

3A

Spænding - fremad (Vf) (maks.) @ Hvis

1.7 V @ 3 A

Hastighed

Fast Recovery = 200mA (Io)

Omvendt gendannelsestid (trr)

75 ns

Strøm - Omvendt lækage @ Vr

10 μA @ 600 V

Kapacitans @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Monteringstype

Surface Mount

Pakke / Case

DO-214AA, SMB

Leverandør Enhedspakke

DO-214AA (SMB)

Driftstemperatur - Kryds

-55 ℃ ~ 150 ℃

HS3JB Lager: 43000

Historie Pris

$0.14243

Certificates

5.0 / 5.0

HS3JB Relaterede dele

Wolfchip Danmark

Wolfchip Malaysia

Wolfchip Việt Nam

Wolfchip Italia

Wolfchip Deutschland

Wolfchip France

Wolfchip México

Wolfchip Electronics